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电子元器件详细资料 » IC[27026] » SI5855DC-T1-E3
型号:SI5855DC-T1-E3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SMD,扁平引线描述:MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C2.7A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C110 毫欧 @ 2.7A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs7.7nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大1.1W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SMD,扁平引线
供应商设备封装1206-8 ChipFET?
包装剪切带 (CT)

供应商

深圳青禾创新科技有限公司曾先生086-0755-82778126
北京元坤国际科技有限公司何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
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SI5855DC-T1-E3相关型号

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